光刻机的现有局面迎来大洗牌?扬言造芯2nm的纳米压印开始颠覆光刻机领域了。先有华为新机先锋上架,后有佳能的新一代纳米压印光刻机宣布开售。经过20年的技术摸索,这次迎来了更新的突破。一时间引起了众说纷纭。在芯片制造领域内,我们常听到的、也是目前应用最多的光学光刻(EUV、DUV)相比,“下一代光刻机”纳米压印,什么来头?
据佳能官网介绍,这款FPA-1200NZ2C光刻机,可以通过纳米压印技术,实现14nm线宽,即对标 5nm 制程的芯片。并且,随着掩模技术的进一步改进,有望突破最小线宽为10nm的电路图案,相当于 2nm 制程。直到去年12月,有消息传出佳能想给中国提供光刻机,宣称可以媲美EUV。那时正是佳能放出成功实现5nm制程这一消息的时间点。才1年不到,佳能宣布即日起(10月13日),FPA-1200NZ2C全面接收订单,也是实现了 5nm 规模化量产的信号。佳能消息发出后,13日纳米压印概念股开盘随即拉升。汇创达曾涨超9%,美迪凯、晶方科技、利和兴等纷纷跟涨。
在EUV的盛行的局面下,来自东方的日本半导体,再次打出了纳米压印这张牌,其被日本半导体行业视作与EUV光刻机竞争大小王的不二之选,承载的使命之重,不言而喻。纳米压印技术( Nanoimprint lithography ,简称“NIL”),此概念由华裔科学家 周郁 教授在1995年首先提出。2003年,作为微纳加工技术,被纳入2003年国际半导体技术蓝图。2009年,美国从事纳米压印技术开发的Molecular Imprints公司曾计划使用NIL进行32nm芯片的制造最终失败;2014年,佳能收购了该公司,更名为Canon Nanotechnologies,宣告正式进入NIL市场。芯片行业技术在不断更迭的同时,纳米压印一直都有量产存储芯片的新闻。蛰伏多年之后,新款的FPA-1200NZ2C开卖了。
现阶段,已有许多使用纳米压印技术生产的产品,且范围也很是广泛,包括存储芯片、LED、OLED、AR 设备等等;在全球范围,除了佳能,还有奥地利的 EV Group、美国Nanonex Corp、瑞典 Obducat AB等公司,都已有成功制出的纳米压印光刻机等设备,还加大力度在提高线宽精度。据有关数据显示,NIL市场还没有想象中那样大,不过整体上正趋于不断壮大。预计在2026年,纳米压印市场规模有望增长至近40 亿美元,2022年至2027年复合增长率可达17.74%。
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